[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080011089.1 | 申请日： | 2010-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102349158A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C01G15/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个目的是设置一种包括具有满意特性的半导体元件的半导体器件。本发明的制造方法包括步骤：在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；形成电连接到半导体层的第二导电层；形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；形成电连接到第二导电层的第三导电层；在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；在半导体层上形成第二导电层；形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；形成连接到第二导电层的第三导电层；在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。
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