[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201080011288.2 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN102349103A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 石桥信一;山根明;福岛正人 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/65
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供不使磁性层的表面氧化或卤化并且表面不被粉尘污染、制造工序不复杂的形成有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法。这样的磁记录介质的制造方法,其特征在于,依次具有:在非磁性基板上(1)形成磁性层(2)的工序;在磁性层(2)之上形成用于形成磁记录图案的掩模层(3)的工序;以及对磁性层(2)的未被掩模层(3)覆盖的部位照射离子束(10),除去该部位(7)的磁性层(2)的上层部并且对下层部(8)的磁特性进行改性的工序,离子束(10)使用质量不同的两种以上的正离子,形成离子束的离子枪具有向基板侧推出来自离子源的正离子的正电极和使正离子向基板侧加速的负电极。
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 再生 装置
【主权项】:
一种磁记录介质的制造方法,是具有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法,其特征在于,依次具有:在非磁性基板上形成磁性层的工序;在磁性层上形成用于形成磁记录图案的掩模层的工序;和对磁性层的未被掩模层覆盖的部位照射离子束,除去该部位的磁性层的上层部,并且对下层部的磁特性进行改性的工序,离子束使用质量不同的两种以上的正离子,形成离子束的离子枪具有向基板侧推出来自离子源的正离子的正电极和使正离子向基板侧加速的负电极。
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