[发明专利]芯片上慢波结构、制造方法以及设计结构有效
| 申请号： | 201080016593.0 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102396103A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王国安;W·伍兹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01P9/00 | 分类号： | H01P9/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供芯片上慢波结构，其使用多个具有接地电容结构的平行信号路径，并且提供其制造方法以及设计结构。所述慢波结构(10)包括多个导体信号路径(12)，其被设置为基本上平行布置。所述结构还包括第一接地电容线或线组(16)，其位于所述多个导体信号路径下方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径。第二接地电容线或线组(18)位于所述多个导体信号路径上方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径。接地平面(14)将所述第一和第二接地电容线或线组接地。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 上慢波 结构 制造 方法 以及 设计 | ||
【主权项】：
一种慢波结构，包括：多个导体信号路径，其被设置为基本上平行布置；第一接地电容线或线组，其位于所述多个导体信号路径下方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径；第二接地电容线或线组，其位于所述多个导体信号路径上方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径；以及接地平面，将所述第一和第二接地电容线或线组接地。
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