[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法在审
| 申请号： | 201080016720.7 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102396062A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·乌伦布罗克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 相变 材料 方法 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种形成包含锗和碲的相变材料的方法，其包含：将包含锗的材料沉积于衬底上，所述包含锗的材料包含呈元素形式的锗；和使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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