[发明专利]导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080016815.9 申请日: 2010-04-05
公开(公告)号: CN102396037A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 清水克也 申请(专利权)人: 旭化成电子材料株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;C23C18/16;C23C18/28;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/00;H05K3/12;H05K3/18;C08J7/04
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法,所述导体层形成用组合物能够形成导电性优异的导体层,并且在形成导体层时,工序数量少,且无需高温下的处理,制造成本低。所述导体层形成用组合物包含下述式(1)所示的金属络合物。
搜索关键词: 导体 形成 组合 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种导体层形成用组合物,其包含下述式(1)所示的金属络合物,式(1)中,R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子、羧基、烷氧基羰基、氰基、甲酰基、酰基、硝基、亚硝基、烷基、链烯基、环烷基、芳烷基、芳基、羟基、巯基、烷硫基、烷氧基、卤素原子或氨基;对于R1、R2、R3、R4及R5,可以是它们中的至少2个彼此键合而形成饱和环或不饱和环,也可以各自独立地具有从式(1)所示的化合物脱离1个氢原子而成的1价基团作为取代基;M表示选自由Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Co、Rh、Fe、In及Sn组成的组中的任一种以上的金属;n表示1~6的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成电子材料株式会社,未经旭化成电子材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080016815.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top