[发明专利]导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法无效
申请号: | 201080016815.9 | 申请日: | 2010-04-05 |
公开(公告)号: | CN102396037A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 清水克也 | 申请(专利权)人: | 旭化成电子材料株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;C23C18/16;C23C18/28;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/00;H05K3/12;H05K3/18;C08J7/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法,所述导体层形成用组合物能够形成导电性优异的导体层,并且在形成导体层时,工序数量少,且无需高温下的处理,制造成本低。所述导体层形成用组合物包含下述式(1)所示的金属络合物。 |
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搜索关键词: | 导体 形成 组合 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导体层形成用组合物,其包含下述式(1)所示的金属络合物,
式(1)中,R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子、羧基、烷氧基羰基、氰基、甲酰基、酰基、硝基、亚硝基、烷基、链烯基、环烷基、芳烷基、芳基、羟基、巯基、烷硫基、烷氧基、卤素原子或氨基;对于R1、R2、R3、R4及R5,可以是它们中的至少2个彼此键合而形成饱和环或不饱和环,也可以各自独立地具有从式(1)所示的化合物脱离1个氢原子而成的1价基团作为取代基;M表示选自由Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Co、Rh、Fe、In及Sn组成的组中的任一种以上的金属;n表示1~6的整数。
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