[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

摘要

公开一种电子照相感光构件，其具有在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置的由五层以上的a-SiC中间层组成的变化层。当从在所述变化层中包括的a-SiC中间层中选择其中C/(Si+C)为0.35至0.65的彼此相邻的两层时，在所述光导电层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)与在所述表面层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)之间的增加率(即，层间增加率)为19％以下。

主权项

一种电子照相感光构件，其包括：基体，光导电层，所述光导电层设置在所述基体上并由非晶硅构成，和表面层，所述表面层设置在所述光导电层上并由氢化非晶碳化硅构成，其中：所述电子照相感光构件在所述光导电层和所述表面层之间进一步包括基本上由五层以上的中间层组成的变化层，所述中间层各自由氢化非晶碳化硅构成，其中：在所述变化层中包括的各所述中间层中，碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)从所述光导电层侧的最内中间层朝向所述表面层侧的最外中间层单调地增加；在所述变化层中，包括两层以上的其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层；当在所述变化层中包括的中间层中的其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层中选择彼此相邻的两层，并且，在该彼此相邻的两层中，在所述光导电层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由A表示，和在所述表面层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由B表示时，其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下范围内的全部中间层在所述层中满足由下式(1)定义的层间增加率为19％以下：层间增加率＝{(B‑A)/A}×100(％)    (1)；在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.61以上至0.90以下；和在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)大于在所述变化层中包括的任何中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)。