[发明专利]选择性等离子体氮化处理方法和等离子体氮化处理装置无效
| 申请号： | 201080018561.4 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102414803A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 门田太一;中村秀雄;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种对于露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，以高氮化速率和高氮剂量对硅进行选择性等离子体氮化处理的方法。选择性等离子体氮化处理通过将处理压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，从高频电源(44)向载置台(2)的电极(42)供给对于被处理体的每单位面积为0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下的高频电力来进行。由该高频电力向晶片(W)施加偏压电压，得到高的Si/SiO2选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 等离子体 氮化 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理容器内在载置台上载置露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，将所述处理容器内的压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，以被处理体的每单位面积0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下的输出向所述载置台供给高频电力，向被处理体施加偏压电压下，生成含氮等离子体，通过所述含氮等离子体对所述硅表面进行选择性氮化处理，形成氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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