[发明专利]超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法无效
| 申请号： | 201080018636.9 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102428539A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 金海元;禹相浩;赵星吉 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，一种超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法包括以下步骤：在其中装载有衬底的腔室内部形成氮气氛；并通过将源气体供应至所述腔室内来在所述衬底上气相沉积多晶硅薄膜；所述源气体包括，硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述形成氮气氛的步骤可以包括将所述氮基气体供应至所述腔室内的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 多晶 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法包括：在装载有衬底的腔室内形成氮气氛；和将源气体供应至所述腔室内，以在所述衬底上沉积多晶硅薄膜；其中，所述源气体包括硅基气体、氮基气体和磷基气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技，未经株式会社EUGENE科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080018636.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全胸腔高频振荡排痰机
- 下一篇：油桐幼叶基因组DNA提取方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
