[发明专利]氧化锆膜的成膜方法有效

专利信息
申请号: 201080019886.4 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN102428212A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 渊田英嗣 申请(专利权)人: 有限会社渊田纳米技研
主分类号: C23C24/04 分类号: C23C24/04;C03C17/23;C04B41/87
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;孟桂超
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种氧化锆膜的成膜方法,该方法通过气溶胶化气相沉积法能够得到良好膜质。通过气溶胶化气相沉积法形成氧化锆膜的成膜方法中,将氧化锆微粒(P)存放于密闭容器(2)中,所述氧化锆微粒的平均粒径取值范围为0.7μm-11μm,比表面积的取值范围为1m2/g-7m2/g;通过向所述密闭容器(2)中导入气体来生成氧化锆微粒(P)的气溶胶(A),通过连接于密闭容器(2)的输送管(6)将气溶胶(A)输送至保持压力低于密闭容器(2)的成膜室(3)中,并且,使氧化锆微粒(P)堆积在存放于成膜室(3)中的基体材料(S)上。使用满足所述条件的氧化锆微粒可以形成细密的、与基体材料之间粘着力高的氧化锆薄膜。
搜索关键词: 氧化锆 方法
【主权项】:
一种氧化锆膜的成膜方法,其特征在于,包括:将氧化锆微粒存放于密闭容器中,其中,该氧化锆微粒的平均粒径取值范围为0.7μm‑11μm、比表面积的取值范围为1m2/g‑7m2/g;通过向该密闭容器导入气体来生成该氧化锆微粒的气溶胶;通过连接于该密闭容器的输送管将该气溶胶输送至保持压力低于该密闭容器的成膜室;以及将该氧化锆微粒堆积在存放于该成膜室中的基体材料上。
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