[发明专利]封装技术及封装配置有效
申请号: | 201080019936.9 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN102439704B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | S·苏塔德雅 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | 本公开的一个实施例提供一种装置,该装置包括:具有芯的柔性电路基底、在该柔性电路基底的第一侧上在芯上布置的第一焊接掩模和第一迹线,以及在该柔性电路基底的第二侧上在芯上布置的第二焊接掩模和第二迹线。第一侧与第二侧相对。该装置还包括所形成的通过该芯的通孔,用于将该第一迹线电耦合到该第二迹线,以及耦合到该柔性电路基底的第一侧的硬化结构,用于增强该柔性电路基底的结构刚性。该硬化结构提供结构支持以允许将集成电路裸片附接到该柔性电路基底的第一侧。 | ||
搜索关键词: | 封装 技术 配置 | ||
【主权项】:
一种封装方法,包括:提供柔性电路基底,包括(i)包含电绝缘材料的芯,在所述柔性电路基底的第一侧上布置在所述芯上的第一焊接掩模和第一迹线,(ii)在所述柔性电路基底的第二侧上布置在所述芯上的匀厚金属层,用于增强所述柔性电路基底的结构刚性,其中所述第二侧与所述第一侧相对,以及(iii)所形成的通过所述芯的通孔,用于电耦合所述第一迹线和所述匀厚金属层;将多个集成电路裸片附接到所述柔性电路基底的第一侧;沉积模制复合物以覆盖(i)所述多个集成电路裸片和(ii)所述柔性电路基底的第一侧;选择性地移除所述匀厚金属层的部分以在所述柔性电路基底的第二侧上形成第二迹线;在所述柔性电路基底的所述第一侧上形成硬化结构以增强所述柔性电路基底的结构刚性,其中所述硬化结构形成围绕在所述柔性电路基底的所述第一侧上的所述多个集成电路裸片的边界,其中所述硬化结构是使用被沉积以形成布置在所述柔性电路基底的所述第一侧上的所述第一迹线的金属来形成的,并且其中所述模制复合物被沉积为覆盖(i)所述多个集成电路裸片和(ii)所述柔性电路基底的所述第一侧而不覆盖所述硬化结构;以及将所述柔性电路分割至多个片以便分离形成在所述柔性电路基底的所述第一侧上的所述多个集成电路裸片,其中所述硬化结构在分割所述柔性电路期间提供稳定性和结构完整性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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