[发明专利]异质结III-V光伏电池制造有效
| 申请号： | 201080021165.7 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102428577A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;N·索萨·科尔茨;K·E·福格尔;D·萨达纳;G·沙希迪;D·沙尔耶迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/075;H01L31/076 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 鲍进 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本公开还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 iii 电池 制造 | ||
【主权项】：
一种用于形成异质结III‑V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III‑V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
