[发明专利]电子装置的形成方法、电子装置、半导体装置以及晶体管无效
| 申请号： | 201080025725.6 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102804341A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓;增田忠;中台保夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C22C9/00;G02F1/1343;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不使导电性布线膜的电阻率上升的技术。在高温下暴露于在化学结构中具有Si原子的气体中的导电性布线膜(9a、9b)的表面，设置以0.3原子%以上的含有率含有Ca的导电层(52)。在导电层(52)的表面形成含有Si的栅极绝缘层或保护膜时，即使导电层(52)暴露于在化学结构中具有Si的原料气体中，Si原子也不扩散到导电层(52)的内部，所以，电阻值不上升。为了防止来自玻璃基板或硅半导体的Si扩散，也能够形成CuCaO层作为紧贴层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 形成 方法 半导体 以及 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电子装置的形成方法，其特征在于，具有：形成至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜的工序；以及在所述导电性布线膜的表面形成含有硅的绝缘层的工序，所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu原子，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计的原子数为0.3原子%以上的Ca原子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
