[发明专利]经阳极处理的喷头有效
| 申请号： | 201080026164.1 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102460649A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 崔寿永;S·安瓦尔;古田学;朴范秀;R·L·蒂纳;J·M·怀特;栗田真一 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H05H1/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 处理 喷头 | ||
【主权项】：
一种气体分配喷头，包括：喷头主体，该喷头主体具有多个延伸穿过该喷头主体的气体通道，该喷头主体具有中心部分与外侧部分，在该外侧部分上具有阳极处理的涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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