[发明专利]高比表面积的碳纳米管集合体的制造方法无效
申请号: | 201080026630.6 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN102459074A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 畠贤治;D·N·弗塔巴;汤村守雄 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B01J23/70 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在含有催化剂赋活物质的高碳环境下连续稳定地制造高比表面积的CNT集合体的方法,具体而言,包括:将基材上的催化剂还原、和/或微粒化的形成工序;和生长工序,使含有碳并且不含有氧的原料气体、和含有氧的催化剂赋活物质与在所述催化剂和/或催化剂微粒接触,并且进行加热,使碳纳米管生长,在所述生长工序中使用的所述原料气体中含有的碳原子个数浓度与所述催化剂赋活物质中含有的氧原子个数浓度之比为0.5以上且200以下。 | ||
搜索关键词: | 表面积 纳米 集合体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管集合体的制造方法,其中,使原料气体和催化剂赋活物质与基材上的催化剂接触而使碳纳米管生长,其特征在于,包括:形成工序,其中,供给还原气体而使其与所述基材上的催化剂接触,并且对所述催化剂以及所述还原气体中的至少任一种进行加热,从而将所述催化剂还原、和/或微粒化;和碳纳米管生长工序,其中,使含有碳并且不含有氧的原料气体、和含有氧的催化剂赋活物质与在所述形成工序中还原的所述催化剂以及催化剂微粒的至少任一种接触,并且对所述催化剂、所述催化剂微粒、所述原料气体以及所述催化剂赋活物质中的至少任一种进行加热,使碳纳米管生长,在所述碳纳米管生长工序中使用的所述原料气体中含有的碳原子个数浓度与在所述碳纳米管生长工序中使用的所述催化剂赋活物质中含有的氧原子个数浓度之比为0.5以上且200以下。
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