[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201080026833.5 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102473452A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小池刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/41;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8244;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 按照确保针对晶体管栅极破坏的耐受性，同时不破坏布局规律性地固定存储单元的内部数据的方式，在构成存储单元(100)的锁存器的2个反相器(401、402)中，将与一个存储节点(104)连接的PMOS负载晶体管(PL1)的源极或漏极切断，并且，将与另一个存储节点(103)连接的NMOS驱动晶体管(ND0)的源极或漏极切断。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元具备：第一PMOS晶体管，其源极端子被供给第一电压；第二PMOS晶体管，其源极端子为浮置状态；第一NMOS晶体管，其源极端子为浮置状态；和第二NMOS晶体管，其源极端子被供给比所述第一电压低的第二电压，其中，所述第一PMOS晶体管的漏极端子、所述第一NMOS晶体管的漏极端子、所述第二PMOS晶体管的栅极端子、和所述第二NMOS晶体管的栅极端子相连接，所述第二PMOS晶体管的漏极端子、所述第二NMOS晶体管的漏极端子、所述第一PMOS晶体管的栅极端子、和所述第一NMOS晶体管的栅极端子相连接。
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