[发明专利]使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器有效
| 申请号： | 201080026842.4 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102804276A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 拉明·古德西 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器(NV)元件取代典型静态及/或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部装置之间的高速度接口，且还可用作快闪存储器阵列的高性能高速缓冲存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 新兴 非易失性存储器 元件 闪存 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包含：基于晶体管的非易失性存储器元件阵列；及耦合到所述阵列的电路，所述电路包含用于存储待存储于所述阵列中的数据及/或存储先前存储于所述阵列中的数据的多个新兴非易失性存储器元件。
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