[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法有效
| 申请号： | 201080029906.6 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102473362A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 冈部达;锦博彦;近间义雅;原猛 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/00 | 分类号： | G09F9/00;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括如下工序：在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序；形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序；形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序；在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后，对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序；和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：栅极层形成工序，在基板形成栅极电极和第一配线；栅极绝缘膜形成工序，在以覆盖所述栅极电极和第一配线的方式形成第一绝缘膜之后，以在与所述第一配线重叠的位置形成接触孔的方式对该第一绝缘膜进行图案化，形成栅极绝缘膜；源极层形成工序，在以覆盖所述栅极绝缘膜的方式形成导电膜之后，对该导电膜进行图案化，形成以与所述栅极电极重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极和漏极电极，和以与所述第一配线交叉的方式设置、且通过所述接触孔与所述第一配线连接的第二配线；层间绝缘膜形成工序，在以覆盖所述源极电极、漏极电极和第二配线的方式依次形成氧化物半导体膜和第二绝缘膜之后，对该第二绝缘膜进行图案化，形成层间绝缘膜；和像素电极形成工序，将从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜低电阻化，形成像素电极。
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