[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080032059.9 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103003946A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 山下贤哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括多个单位单元，各单位单元具备：基板；形成在基板上的漂移层；设于漂移层内的主体区域；设于主体区域内的第1个第一导电型杂质区域；与主体区域相邻接且形成在漂移层的表面区域的第2个第一导电型杂质区域；在第2个第一导电型杂质区域和相邻接的单位单元的第2个第一导电型杂质区域之间，按照与第2个第一导电型杂质区域相接的方式形成在漂移层的表面区域的第3个第一导电型杂质区域；至少在第1个第一导电型杂质区域与第2个第一导电型杂质区域之间，按照与漂移层的表面相接的方式形成的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅电极；和第1以及第2欧姆电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括至少一维配置的多个单位单元，其中，各单位单元包括：基板，其由第一导电型的宽带隙半导体构成；漂移层，其形成在上述基板上，由上述第一导电型的宽带隙半导体构成；第二导电型的主体区域，其设置在上述漂移层内；第1个第一导电型杂质区域，其设置在上述主体区域内；第2个第一导电型杂质区域，其与上述主体区域相邻接地形成在上述漂移层的表面区域；第3个第一导电型杂质区域，其在上述第2个第一导电型杂质区域和相邻接的单位单元的第2个第一导电型杂质区域之间，按照与上述第2个第一导电型杂质区域相接的方式，形成在上述漂移层的表面区域；栅极绝缘膜，其至少在上述第1个第一导电型杂质区域与上述第2个第一导电型杂质区域之间，被形成为与上述漂移层的表面相接；栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；第1欧姆电极，其与上述第1个第一导电型杂质区域电连接；和第2欧姆电极，其与上述基板的形成有上述漂移层的面相反一侧的面电连接，上述第3个第一导电型杂质区域的杂质浓度低于上述第2个第一导电型杂质区域的杂质浓度，并且在上述漂移层的杂质浓度以上。
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