[发明专利]口腔正畸支架的表面镀膜方法有效
申请号: | 201080034027.2 | 申请日: | 2010-07-19 |
公开(公告)号: | CN102470191A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 申雨锡 | 申请(专利权)人: | HUBIT株式会社 |
主分类号: | A61L27/30 | 分类号: | A61L27/30;A61C7/14 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及口腔正畸支架的表面镀膜方法,插入到支架的槽的金属线对牙齿施加口腔正畸所需的张力(tension)期间,为了将摩擦力最小化并增加表面硬度和耐久性,在由陶瓷制作的支架表面形成特定厚度的钛镀膜层。根据本发明,使用在其表面形成特定厚度的钛镀膜层的陶瓷来制作的支架而进行口腔正畸时,可将插入到支架的槽的金属线对牙齿施加口腔正畸所需的张力(tension)期间的摩擦力最小化,因此能够体现医师所期望的口腔正畸路径并缩短矫正时间。 | ||
搜索关键词: | 口腔 支架 表面 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种口腔正畸支架的表面镀膜方法,其特征在于,包括:第一过程和第二过程,上述第一过程S100清洗口腔正畸支架100而清除其表面异物,该口腔正畸支架是对陶瓷进行磨工工作,或烧结成型、注塑成型、压力加工而制作的,上述口腔正畸支架的背面110起到直接粘合到牙齿的粘合面作用,并在背面110的反面外侧形成有用于插入将多个支架100进行连接的口腔正畸金属线200的槽120;上述第二过程S200是使用通过空心阴极放电(Hollow Cathode Discharge)方法产生电子束以使钛电离为蒸镀粒子的离子镀(ion plating)装置,在由清除其表面异物的陶瓷制作的支架的表面形成用于减少与上述金属线之间的摩擦力的厚度的钛镀膜层。
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