[发明专利]受光元件的制作方法、受光元件制作装置

摘要

本发明提供一种受光元件的制作方法，不需进行材料的选定，即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件。该制作方法包括沉积工序，在对构成P型半导体(14)、N型半导体(13)、各个电极(12、15)中任意一方的材料施加反向偏置电压的同时，照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，该沉积工序包括：非绝热流程，在沉积的材料表面中形成有能够借助照射光而产生近场光的局部形状(54)的部位，通过基于近场光的非绝热过程对期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该电子消除该局部形状(54)中基于反向偏置电压的局部电场；粒子吸附流程，在没有形成局部形状(54)的部位，使在产生了基于反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附粒子(51)，结果在形成有局部形状(54)的情况下向非绝热流程转移。

主权项

一种受光元件的制作方法，该受光元件具有将P型半导体和N型半导体接合而成的PN结、和分别与所述P型半导体及N型半导体连接的各个电极，所述受光元件的制作方法的特征在于，该制作方法包括沉积工序，在对构成所述P型半导体、所述N型半导体、所述各个电极中任意一方的材料施加反向偏置电压的同时，照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，所述沉积工序包括：非绝热流程，在所述沉积的材料表面中形成有能够借助所述期望波长的照射光而产生近场光的局部形状的部位，连续进行以下处理：通过基于在该局部形状处产生的近场光的非绝热过程对所述期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该生成的电子来消除在该局部形状处产生的基于所述反向偏置电压的局部电场；粒子吸附流程，在没有形成所述局部形状的部位，使产生了基于所述反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附构成所述材料的粒子，在经过该吸附处理形成了所述局部形状的情况下向所述非绝热流程转移。