[发明专利]半导体光源

摘要

在半导体光源(1)的至少一个实施形式中，所述半导体光源包括至少两个平面元件(2)。平面元件(2)分别包括用于在所述半导体光源(1)工作时产生紫外或可见辐射(R)的半导体材料。在此，辐射(R)在平面元件(2)的各正好一个主平面(3)上发射。在半导体光源(1)不工作时，平面元件(2)的反射率对于可见的辐射为至少80％。此外，平面元件(2)具有至少10mm的平均直径(L)。此外，平面元件(2)的主平面(3)相互成角(α)地设置，并且彼此朝向。在此，主平面(3)之间的角(α)在30°与120°之间。

主权项

半导体光源(1)，具有至少两个平面元件(2)，其中，‑所述平面元件(2)各包括一种半导体材料(4)，所述半导体材料用于在所述半导体光源(1)工作时产生紫外或可见辐射(R)，其中，所述辐射(R)在所述平面元件(2)的各刚好一个主平面(3)上发射，‑在所述半导体光源(1)不工作时，所述平面元件(2)的反射率对于可见辐射为至少80％，‑所述平面元件(2)的平均直径(L)为至少10mm，‑所述主平面(3)相互成角(α)设置，并且彼此朝向，并且‑在所述主平面(3)之间的所述角(α)在30°和120°之间。