[发明专利]无光饰面聚酰亚胺膜及其相关方法有效
| 申请号： | 201080038585.6 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102482418A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | T·E·卡内;J·M·巴尔托灵;M·L·邓巴 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及基膜，所述基膜具有8至152微米的厚度、2至35的60度光泽度值、大于或等于2的光密度以及大于1400V/mil的介电强度。所述基膜包含化学转化的(部分芳族的或全芳族的)聚酰亚胺，其量为所述基膜的71至96重量％。所述基膜还包含颜料和消光剂。所述消光剂以所述基膜的1.6至10重量％的量存在，并且具有1.3至10微米的中值粒度和2至4.5g/cc的密度。所述颜料以所述基膜的2至9重量％的量存在。本发明还涉及表护层薄膜，其包括与粘合剂层结合的所述基膜。 | ||
| 搜索关键词： | 无光 聚酰亚胺 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
基膜，所述基膜包含：A.化学转化的聚酰亚胺，其量为所述基膜的71至96重量％，所述化学转化的聚酰亚胺衍生自：a.基于所述聚酰亚胺的总二酐含量至少50摩尔％的芳族二酐，和b.基于所述聚酰亚胺的总二胺含量至少50摩尔％的芳族二胺；B.低电导率炭黑，其以所述基膜的2至9重量％的量存在；以及C.消光剂，所述消光剂：a.以所述基膜的1.6至10重量％的量存在，b.具有1.3至10微米的中值粒度，并且c.具有2至4.5g/cc的密度。
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