[发明专利]用于制造集成电路的方法和产生的膜芯片有效
| 申请号： | 201080039645.6 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102484106A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·布尔加尔茨;克里斯蒂娜·阿朗特 | 申请（专利权）人： | 斯图加特微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过将半导体衬底(12)设置在膜件(18)的凹槽(22)中的方式，将具有第一表面延伸的半导体衬底(12)与具有第二表面延伸的柔性膜件(18)组合。半导体衬底(12)具有借助光刻工艺步骤产生的电路结构(14)。在将半导体衬底(12)设置在膜件(18)的凹槽(22)中之后，借助光刻工艺步骤在半导体衬底(12)和膜件(18)之上产生由导电材料组成的结构化层(36)。结构化层(36)从半导体衬底(12)延伸至柔性的膜件(18)并且形成在半导体衬底(12)和膜件(18)之间的导电接触轨(38，40)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 集成电路 方法 产生 芯片 | ||
【主权项】：
用于制造集成电路的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有第一表面延伸(16)的半导体衬底(12)，‑借助光刻工艺步骤在所述半导体衬底(12)中产生电路结构(14)，‑提供柔性的第一膜件(18)，所述第一膜件具有大于所述第一表面延伸(16)的第二表面延伸(20)，并且在所述表面延伸中具有凹槽(22)，‑将所述半导体衬底(12)设置在所述凹槽(22)中，以及‑借助光刻工艺步骤在所述半导体衬底(12)和所述柔性的第一膜件(18)上产生由导电材料组成的结构化的层(36)，其中所述结构化层(36)从所述半导体衬底(12)延伸至所述柔性的第一膜件(18)并且形成在所述半导体衬底和所述第一膜件(18)之间的多个导电接触轨(38，40)。
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