[发明专利]基板处理装置的运行方法有效
申请号: | 201080039989.7 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN102484065A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 小风丰;植田昌久;吉田善明 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 庞立志;高旭轶 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供通过稳定生成等离子体、可抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。在进行了真空排气的真空槽内配置基板后,首先向真空槽内供给稀有气体,对等离子体发生装置施加电压以生成稀有气体的等离子体。接着,向真空槽内供给反应气体、使反应气体与稀有气体的等离子体接触以生成反应气体的等离子体。使该反应气体的等离子体与基板接触而对基板进行处理。利用等离子体生成装置,通过不对反应气体进行等离子体化、而是首先对稀有气体进行等离子体化,从而稳定地生成等离子体、抑制颗粒的发生。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 运行 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置的运行方法,其为具有真空槽、对所述真空槽内进行真空排气的真空排气部、向所述真空槽内供给气体的气体供给部、对等离子体生成装置施加电压以产生所述真空槽内的气体的等离子体的等离子体生成部,使等离子体与配置于所述真空槽内的基板接触而对所述基板进行处理的基板处理装置的运行方法,其具有以下工序:向所述真空槽内供给稀有气体、对所述等离子体生成装置施加电压以产生所述稀有气体的等离子体的等离子体点火工序;和向所述真空槽内供给反应气体、使所述反应气体与所述稀有气体的等离子体接触以产生所述反应气体的等离子体,使所述反应气体的等离子体与基板接触而对所述基板进行处理的等离子体处理工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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