[发明专利]基板处理装置的运行方法有效

专利信息
申请号: 201080039989.7 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102484065A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 小风丰;植田昌久;吉田善明 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H05H1/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 庞立志;高旭轶
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供通过稳定生成等离子体、可抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。在进行了真空排气的真空槽内配置基板后,首先向真空槽内供给稀有气体,对等离子体发生装置施加电压以生成稀有气体的等离子体。接着,向真空槽内供给反应气体、使反应气体与稀有气体的等离子体接触以生成反应气体的等离子体。使该反应气体的等离子体与基板接触而对基板进行处理。利用等离子体生成装置,通过不对反应气体进行等离子体化、而是首先对稀有气体进行等离子体化,从而稳定地生成等离子体、抑制颗粒的发生。
搜索关键词: 处理 装置 运行 方法
【主权项】:
一种基板处理装置的运行方法,其为具有真空槽、对所述真空槽内进行真空排气的真空排气部、向所述真空槽内供给气体的气体供给部、对等离子体生成装置施加电压以产生所述真空槽内的气体的等离子体的等离子体生成部,使等离子体与配置于所述真空槽内的基板接触而对所述基板进行处理的基板处理装置的运行方法,其具有以下工序:向所述真空槽内供给稀有气体、对所述等离子体生成装置施加电压以产生所述稀有气体的等离子体的等离子体点火工序;和向所述真空槽内供给反应气体、使所述反应气体与所述稀有气体的等离子体接触以产生所述反应气体的等离子体,使所述反应气体的等离子体与基板接触而对所述基板进行处理的等离子体处理工序。
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