[发明专利]存储器扭结检查有效
| 申请号： | 201080040564.8 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102483954A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 乌黛·钱德拉塞卡尔;马克·赫尔姆 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器扭结检查。一个实施例包括根据第一存储器单元的编程状态将多个电压中的一者选择性地施加到第一数据线，其中所述第一存储器单元耦合到所述第一数据线及选定存取线。确定至少部分地由于施加到所述第一数据线的所述电压及至少所述第一数据线与第二数据线之间的电容性耦合所致的对所述第二数据线的影响，其中所述第二数据线耦合到第二存储器单元，所述第二存储器单元邻近于所述第一存储器单元，且所述第二存储器单元耦合到所述选定存取线。响应于所述所确定的影响而在施加到所述第二存储器单元的后续编程脉冲期间将扭结校正施加到所述第二数据线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 扭结 检查 | ||
【主权项】：
一种用于操作存储器装置的方法，其包含：根据第一存储器单元的编程状态将多个电压中的一者选择性地施加到第一数据线，其中所述第一存储器单元耦合到所述第一数据线及选定存取线；确定至少部分地由于施加到所述第一数据线的所述电压及至少所述第一数据线与第二数据线之间的电容性耦合所致的对所述第二数据线的影响，其中所述第二数据线耦合到第二存储器单元，所述第二存储器单元邻近于所述第一存储器单元，且所述第二存储器单元耦合到所述选定存取线；及响应于所述所确定的影响，在施加到所述第二存储器单元的后续编程脉冲期间将扭结校正施加到所述第二数据线。
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