[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置无效
| 申请号： | 201080045934.7 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102576547A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 福岛正人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质的制造方法，该方法能够以高的生产率制造表面平滑度高、磁头浮起特性优异的有用的磁记录介质。这样的磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板(1)上形成磁性层(3)后，通过对磁性层(3)部分地注入离子，将该磁性层(3)的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案(3a)的磁记录介质(30)的制造方法，其特征在于，在对磁性层(3)部分地注入离子时，在磁性层(3)的表面形成碳膜，通过图案化将碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对磁性层(3)部分地注入离子。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上形成磁性层后，通过对所述磁性层部分地注入离子，将该磁性层的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在对所述磁性层部分地注入离子时，在所述磁性层的表面形成碳膜，通过图案化将所述碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对所述磁性层部分地注入离子。
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