[发明专利]向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法有效
申请号: | 201080045950.6 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102598225A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 弗洛里安·别克 | 申请(专利权)人: | 英派尔科技开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 总体上公开了用于向半导体晶片应用膜以及处理半导体晶片的实施方式和技术。一些实施例包括提供层压膜,层压膜可以包括干膜抗蚀剂以及可以与干膜抗蚀剂相邻设置的载体膜。可以从层压膜切割下至少一个膜块,该膜块具有与半导体晶片相适应的尺寸和形状。可以将膜块应用至半导体晶片。用于应用膜的系统可以包括切割装置、真空夹具和施压工具。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 应用 设备 方法 处理 | ||
【主权项】:
一种向半导体晶片应用膜的方法,包括:提供半导体晶片;提供层压膜,所述层压膜包括干膜抗蚀剂以及与干膜抗蚀剂相邻设置的载体膜;从层压膜切割下尺寸和形状适合半导体晶片的至少一个膜块;以及将膜块应用至半导体晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英派尔科技开发有限公司,未经英派尔科技开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080045950.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造