[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080047439.X | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102576723A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋;山下贤哉;庭山雅彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极(122)配置于接触沟槽(121)内，且在接触沟槽的侧壁下部(121cL)的至少一部分以及底表面(121b)与接触区域(131)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有主表面以及背表面；第1碳化硅层，其配置于所述半导体基板的所述主表面上；第1导电型的第1杂质区域，其配置于所述第1碳化硅层；第2导电型的体区域，其被配置为在所述第1碳化硅层中与所述第1杂质区域相邻；第2导电型的接触区域，其在所述体区域内配置于比所述第1杂质区域更深的位置，并以比所述体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质；第1导电型的漂移区域，其配置于所述第1碳化硅层中的、除了所述体区域以及所述第1杂质区域以外的区域；和第1欧姆电极，其与所述第1杂质区域以及所述接触区域欧姆接触，在所述第1碳化硅层中设置有贯穿所述第1杂质区域的接触沟槽，所述接触沟槽具有底表面以及侧壁，所述接触沟槽的侧壁包含：位于比所述第1杂质区域的底表面更深的位置处的侧壁下部、以及位于与所述第1杂质区域的底表面同样深度或者比该底表面更浅的位置处的侧壁上部，所述第1欧姆电极配置于所述接触沟槽内，且在所述接触沟槽的侧壁下部的至少一部分以及底表面与所述接触区域接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080047439.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属格栅板的绝缘方法及结构
- 下一篇：用户界面
- 同类专利
- 专利分类
