[发明专利]鳍型装置系统和方法有效
| 申请号： | 201080047779.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102576730A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;韩秉莫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种鳍型装置系统和方法。在特定实施例中，揭示一种制造晶体管的方法，其包含在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极，以及在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极；在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极；以及形成凸起的源极‑漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。
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