[发明专利]具有多个掺杂硅层的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201080049073.X | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102598281A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 古田学;崔寿永;大森健次 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例大致上关于TFT及其制造方法。在此揭示的TFT是硅系TFT，其中有源沟道包含非晶硅。多个掺杂硅层沉积在非晶硅上方，其中掺杂硅层的电阻率在和非晶硅层的界面处比在和源极及漏极电极的界面处更高。替代地，单一掺杂硅层沉积在非晶硅上方，其中单一掺杂层的性质在厚度中改变。在和源极及漏极电极的界面处具有较低电阻率是较佳的，但是较低电阻率通常意谓着较低的基板产能。通过使用多个或分级层，可达到低电阻率。在此揭示的实施例包括低电阻率而不会牺牲基板产能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制造方法，包含下述步骤：沉积非晶硅层于基板上方，所述基板具有形成在其上的栅极电极与栅极介电层；沉积两或多个掺杂硅层于所述非晶硅层上方，各掺杂硅层具有不同于其他掺杂硅层的至少一特性；沉积金属层于所述两或多个掺杂硅层上方；图案化所述金属层，以形成源极电极与漏极电极；图案化所述两或多个掺杂硅层，以暴露所述非晶硅层；及沉积钝化层于所述源极电极、所述漏极电极与所述暴露的非晶硅层上方。
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