[发明专利]MOS器件中导通栅极触点无效
| 申请号： | 201080056776.5 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102822964A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | R·赫贝霍尔茨;D·维加 | 申请（专利权）人： | 剑桥硅无线电通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种MOS器件（400），包括：半导体基底，包括沟道；电极（402），与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和至少一个通到电极的触点（403），所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 中导通 栅极 触点 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括；半导体基底，包括沟道；电极，与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和至少一个通到电极的触点，所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。
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