[发明专利]太阳能电池单元的制造方法无效
| 申请号： | 201080059615.1 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102687284A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 桥本敬宏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216;C01G23/053 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种太阳能电池单元的制造方法，包括在半导体基板（1）的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液（5a）的工序、和对涂布有防反射膜形成用溶液（5a）的半导体基板（1）进行加热的工序，在涂布防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，防反射膜形成用溶液（5a）在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池单元的制造方法，包括在半导体基板（1）的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液（5a）的工序、以及对涂布有所述防反射膜形成用溶液（5a）的所述半导体基板（1）进行加热的工序，在涂布所述防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，所述防反射膜形成用溶液（5a）在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
