[发明专利]在镀的过程中保持衬底表面湿润的工艺有效
申请号: | 201080062696.0 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102741972A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 王亚新;李石建;弗里茨·雷德克;约翰·帕克斯;阿尔图尔·科利奇;衡石·亚历山大·尹;塔里克·苏万·德菲利佩;米哈伊尔·科罗利克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法和系统包括在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层。接着在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面。所述漂洗是受控的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上。所述衬底从所述无电沉积模块被移除,同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上。所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的。所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除,其便被移动到后沉积模块中,同时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。 | ||
搜索关键词: | 过程 保持 衬底 表面 湿润 工艺 | ||
【主权项】:
用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法,其包括:(a)在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层;(b)在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面,所述漂洗是受控制的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上;(c)将所述衬底移除出所述无电沉积模块,同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上,所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的;以及(d)所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除,其便被移动到后沉积模块中,所述衬底的所述移动进行时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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