[发明专利]化学气相沉积设备有效
申请号: | 201080063854.4 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN102804340A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 洪性在;韩锡万;陈周;郑镇烈 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在衬底上形成薄膜的过程中,需要一种化学气相沉积设备来提高过程效率并形成高品质的薄膜。为此,根据本发明的化学气相沉积设备包括:多个反应腔,衬底通过闸门进入所述反应腔中并且对层叠在所述反应腔中的衬底支撑件的上表面上的所述衬底进行处理;缓冲腔,连接所述多个反应腔,从所述多个反应腔中的一个中取出衬底,并且使得所述衬底穿过所述缓冲器,以进入所述多个反应腔中的另一个反应腔;加热器,位于所述多个反应腔或所述缓冲腔中;气体供应装置,用于向所述多个反应腔供应处理气体;第一方向传输单元,用于将上面层叠有所述衬底的板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔;以及第二方向传输单元,用于将位于所述多个反应腔中的某一闸门前面的所述板或所述衬底传输到所述多个反应腔的另一个闸门前面的另一位置。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积设备,包括:多个反应腔,被配置为通过闸门使衬底进入所述反应腔中并且对装载到所述反应腔中的衬底支撑件的上表面上的所述衬底进行处理;缓冲腔,被配置为与所述多个反应腔耦接并且当所述衬底从所述多个反应腔中的任意一个中被取出,然后被送入所述多个反应腔中的另一个反应腔时,使得所述衬底穿过所述缓冲腔;加热器,设置在所述多个反应腔或所述缓冲腔中;气体供应装置,被配置为向所述多个反应腔供应处理气体;第一方向传输单元,被配置为将上面装载有所述衬底的板从所述反应腔传输到所述缓冲腔或从所述缓冲腔传输到所述反应腔;以及第二方向传输单元,被配置为将放置在所述多个反应腔中的任意一个的闸门前面的所述板或所述衬底传输到所述多个反应腔中的另一个的闸门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丽佳达普株式会社,未经丽佳达普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080063854.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:甲基硫菌灵合成反应釜的尾气处理装置
- 下一篇:一种搅拌装置集装式密封结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造