[发明专利]源极跟随器输入缓冲器有效

专利信息
申请号: 201080064612.7 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN102771052A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 尼婷·阿加瓦尔;维斯维斯瓦拉亚·A·彭塔科塔 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03M1/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于模/数转换器ADC的输入源极跟随器缓冲器及偏置电路提供经改进的线性。输入信号的部分INP、INM输入到偏置电路(212)及缓冲器(202-1)、(202-2)用于由取样保持S/H电路(204-1)、(204-2)取样。电流源(302)将电流提供到NMOS晶体管(Q8)的漏极,所述晶体管(Q8)的栅极接收偏置电压NCAS,且将偏置电压NBIASP提供到NMOS晶体管(Q9)的栅极。通过电容器(CIN)将INM部分提供到在级联晶体管(Q8)、(Q9)之间的节点。这使信号电流能够从接地流动通过第二晶体管(Q9)及电容器(CIN)。所述信号电流由每一NMOS晶体管(Q5)、(Q7)成镜像且提供给电容器(CB1)、(CB2)。INP部分提供到NMOS晶体管(Q4)、(Q6)(所述NMOS晶体管各自作为源极跟随器操作)的栅极且大体上不提供信号电流。输入电路能够为S/H电路(204-1)、(204-2)供应具有经改进线性的电压及电流。
搜索关键词: 跟随 输入 缓冲器
【主权项】:
一种设备,其包括:偏置电路,其具有:具有第一电容的第一电容器,其接收输入信号的第一部分;及一对级联晶体管,其中所述第一电容器耦合到在所述级联晶体管之间的节点,且其中所述级联对的第一级联晶体管接收第一偏置电压,且其中所述级联晶体管对的第二级联晶体管接收第二偏置电压;具有第二电容的开关电容器电路;及源极跟随器缓冲器,其耦合到所述偏置电路及所述开关电容器电路,其中所述源极跟随器接收所述第二偏置电压及接收所述输入信号的第二部分,且其中所述源极跟随器包含具有第三电容的第二电容器,且其中第一电容与经组合的第二及第三电容的比率至少为一。
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