[发明专利]用于将IC晶粒或晶片接合到TSV晶片的双载体无效
| 申请号： | 201080065830.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102844859A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | Y·高桥;M·穆尔图萨;R·邓恩;S·S·肖汉 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用贯穿衬底通孔（TSV）晶片形成堆叠电子制品的方法，该方法包括使用具有第一脱粘温度的第一粘合材料（206）将第一载体晶片（205）安装到TSV晶片（202）的顶侧。TSV晶片从TSV晶片的底侧变薄，从而形成变薄的TSV晶片（202’）。使用具有高于第一脱粘温度的第二脱粘温度的第二粘合材料（207），将第二载体晶片（215）安装到TSV晶片（202’）的底侧。变薄的TSV晶片（202’）被加热到高于第一脱粘温度的温度，从而从变薄的TSV晶片（202’）移除第一载体晶片（205）。至少一个单个化的IC晶粒被结合到在变薄的TSV晶片的顶面上形成的TSV晶粒，从而形成堆叠电子制品。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ic 晶粒 晶片 接合 tsv 载体 | ||
【主权项】：
一种形成堆叠电子制品的方法，包含：使用具有第一脱粘温度的第一粘合材料，将第一载体晶片安装到贯穿衬底通孔（TSV）晶片的顶侧，所述TSV晶片包括TSV晶粒；使所述TSV晶片从所述TSV晶片的底侧变薄，从而形成变薄TSV晶片，其中所述变薄包括在所述TSV晶片上暴露嵌入的TSV尖端，从而形成暴露的TSV尖端；使用第二粘合材料将第二载体晶片安装到所述底侧，其中所述第二粘合材料具有高于所述第一脱粘温度的第二脱粘温度；将所述变薄TSV晶片加热到高于所述第一脱粘温度的温度，从而从所述变薄TSV晶片移除所述第一载体晶片；以及将至少一个第二IC晶粒结合到在所述变薄TSV晶片的所述顶侧上的所述TSV晶粒，从而形成包含电子制品的堆叠TSV晶片。
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