[发明专利]用于实现编程序列以增强晶元交错的系统和方法有效
| 申请号： | 201080069379.1 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103140896B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | K.达克什纳默西;D.尤尔佐拉;R.纳加比拉瓦;O.施特拉斯伯格 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于向诸如通用串行总线（USB）存储器器件的存储器器件顺序地写入数据的系统和方法。存储器器件包括第一晶元和第二晶元，第一晶元和第二晶元的每个包括多页。器件的系统控制器将数据集的第一部分写到第一晶元的较高页。然后将数据集的第二部分写到第二晶元的较低页。系统控制器然后在将数据集的第四部分写到第一晶元的较低页之前将数据集的第三部分写到第二晶元的较高页。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 实现 编程 序列 增强 交错 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种顺序地向存储器器件写入数据的方法，该方法包括：在包括第一晶元和第二晶元的存储器器件中，第一晶元和第二晶元的每个包括多页：接收第一数据集；将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页；在将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页之后，接收第二数据集；将所述第二数据集的第一部分写到第一晶元的较高页；在将所述第二数据集的第一部分写到第一晶元的较高页之后，将所述第二数据集的第二部分写到第二晶元的较低页；在将所述第二数据集的第二部分写到第二晶元的较低页之后，将所述第二数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页；以及在将所述第二数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页之后，将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。
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