[发明专利]透明导电薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201110000886.6 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102373418A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 孙永号;崔承勋;郑明孝 | 申请（专利权）人： | 昱西斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人： | 潘光兴 |
| 地址： | 韩国790-834庆尚北道浦项市南*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种透明导电薄膜的制造方法，该方法包含：将设置有基板的载板传输至一真空腔室；利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞基板的一表面；利用溅镀高折射氧化物于基板表面，以形成一高折射氧化层，同时电浆阳离子碰撞高折射氧化物；利用溅镀低折射氧化物于高折射氧化层上，以形成一低折射氧化层，同时电浆阳离子碰撞低折射氧化物；以及利用溅镀导电氧化物于低折射氧化层上，以形成一导电氧化层，同时电浆阳离子碰撞导电氧化物。因此，无须施加高温加热，即可制造透明导电薄膜，且在制造氧化铟锡透明导电薄膜之后，移除部分透明导电薄膜所形成的图案，也无法以肉眼看到。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，该方法包括：传输设置有一个基板的载板至一个真空腔室；利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞该基板的一个表面；利用溅镀高折射氧化物于该基板表面，以形成一层高折射氧化层，同时该电浆阳离子碰撞该高折射氧化物；利用溅镀低折射氧化物于该高折射氧化层上，以形成一层低折射氧化层，同时该电浆阳离子碰撞该低折射氧化物；以及利用溅镀导电氧化物于该低折射氧化层上，以形成一层导电氧化层，同时电浆阳离子碰撞到导电氧化物；其中，该高折射氧化物为五氧化二铌、三氧化二钛、五氧化二钽或二氧化锆，以及该低折射氧化物为二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。
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