[发明专利]半导体存储器件和包括它的半导体存储系统有效
| 申请号： | 201110000930.3 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102479544B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 玉成华 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：内部时钟信号发生单元，被配置为响应于外部时钟信号产生内部时钟信号；内部数据选通信号发生单元，被配置为响应于外部数据选通信号产生内部数据选通信号；相位比较单元，被配置为将响应于内部虚拟写入命令而被使能的写入路径中所使用的内部时钟信号与内部数据选通信号的相位彼此相比较；以及输出单元，被配置为输出相位比较单元的输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：内部时钟信号发生单元，所述内部时钟信号发生单元被配置为响应于外部时钟信号来产生内部时钟信号；内部数据选通信号发生单元，所述内部数据选通信号发生单元被配置为响应于外部数据选通信号来产生内部数据选通信号；相位比较单元，所述相位比较单元被配置为将在响应于内部虚拟写入命令而被使能的写入路径中所使用的所述内部数据选通信号的相位和被使能的写入路径中所使用的所述内部时钟信号的相位彼此进行比较；以及输出单元，所述输出单元被配置为将所述相位比较单元的输出信号输出。
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