[发明专利]一种FinFET晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种FinFET晶体管制作方法，包括：在衬底上生成一介质条，以介质条为掩膜进行离子注入使其在衬底表面形成非晶层；在衬底上生成覆盖介质条的非晶半导体层，并将其进行热退火处理再结晶成单晶半导体层；对预设计为源漏区域的介质条的两端做相应的处理形成源漏区；在介质条不与源漏区域接触的两侧形成再结晶的半导体侧墙，去除侧墙之间的介质条，形成Fin体；在衬底和Fin体上生成牺牲层，并在Fin体的两侧形成保护侧墙，然后将其进行氧化处理，使Fin体与衬底隔离；去除保护侧墙和牺牲层，形成栅介质层和栅电极。利用该方法制造出的Fin体厚度可根据实际需要控制，尤其适合于对Fin体尺寸要求较高的晶体管的制作。

主权项

一种FinFET晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上生成一介质条；在所述衬底上以所述介质条为掩膜进行离子注入使原先为单晶材料的衬底表面形成非晶层；在所述衬底上生成覆盖所述介质条的非晶半导体层，然后将其进行热退火处理，使所述非晶层和所述非晶半导体层再结晶形成单晶层；对预设计为晶体管源漏区的所述介质条两端区域做相应的处理形成保护层；在所述保护层覆盖区域以外的介质条两侧形成再结晶的半导体侧墙，并在所述保护层覆盖区域内形成再结晶的半导体块；去除所述侧墙之间的介质条，所述侧墙形成Fin体；所述半导体块形成Fin体两端的支撑块；所述Fin体两端的支撑块为晶体管的源漏区；在所述衬底和所述半导体块上生成牺牲层，并在所述Fin体的两侧形成保护侧墙，然后将其进行氧化处理，使所述Fin体与所述衬底隔离；去除所述保护侧墙，形成栅介质层和栅电极。