[发明专利]Flash EEPROM灵敏放大电路无效
| 申请号： | 201110001619.0 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102592649A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 夏天;傅志军;顾明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Flash EEPROM灵敏放大电路，其包括：一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；一负载增益电阻。该基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，且该负载增益电阻接地。所述基准电路源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生检测电压或参考检测电压，该检测电压和参考检测电压均送入后继差分比较器，通过比较所述两个电压，从而得到存储单元内的数据值。本发明的电路能够工作在低的电源电压下，提供高的漏端电压，从而改善读出速度。 | ||
| 搜索关键词： | flash eeprom 灵敏 放大 电路 | ||
【主权项】：
一种Flash EEPROM灵敏放大电路，其特征在于，包括：一基准电流源，用于给该灵敏放大电路提供基准电流；一P类级联负反馈环路，其采用PMOS管实现级联结构，用于将参考单元位线或存储单元位线的电压钳位于预设的偏置电位；一负载增益电阻，其一端为电压检测端，另一端为接地端接地，用于产生检测电压及参考检测电压；所述基准电流源、P类级联负反馈环路与负载增益电阻依次串联，所述基准电流源产生的电流经参考单元或存储单元分流后流经所述负载增益电阻，产生的所述参考检测电压或检测电压送入后继差分比较器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司，未经上海华虹集成电路有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110001619.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中红外激光器的制备方法
- 下一篇：一种大尺寸显示屏
