[发明专利]具有复位功能的静态随机存储单元无效

专利信息
申请号: 201110004548.X 申请日: 2011-01-11
公开(公告)号: CN102034533A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 吴利华;韩小炜;赵凯;于芳 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管;一第二反相器,其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。
搜索关键词: 具有 复位 功能 静态 随机 存储 单元
【主权项】:
一种具有复位功能的静态随机存储单元,其包括:一第一反相器,该第一反相器包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管,该第一驱动NMOS晶体管的栅极端与第一负载PMOS晶体管的栅极端相连,第一驱动NMOS晶体管的漏极端与第一负载PMOS晶体管的漏极端相连;一第二反相器,该第二反相器包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管,该第二驱动NMOS晶体管的栅极端与第二负载PMOS晶体管的栅极端相连,第二驱动NMOS晶体管的漏极端与第二负载PMOS晶体管的漏极端相连;该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入端相连,该第二反相器的输出端与该第一反相器的输入端相连,由此构成交叉耦合的锁存器,该锁存器连接在正电源电压和电源地之间;一存取NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极与字线连接,其源极与位线连接;一复位上拉PMOS晶体管,其漏极与第二反相器的输出端相连,其栅极连接置数控制线,源极连接正电源电压;一复位下拉NMOS晶体管,其漏极与第一反相器的输出端相连,其栅极连接清零控制线,源极连接电源地。
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