[发明专利]一种多通道LDMOS及其制备方法有效
| 申请号： | 201110005812.1 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102097484A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 毛焜 | 申请（专利权）人： | 深圳市联德合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多通道LDMOS及其制备方法。一种多通道LDMOS，包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质层10、场氧化层11、金属前介质12、漂移区2、衬底阱接触区4、衬底阱7、源极金属8和漏极金属9，所述衬底阱7与所述漂移区2间无间隔，所述漂移区2的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱7的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条3A，所述埋层条阵列位于所述场氧化层11下方、被所述漂移区2包围且距离所述场氧化层11一段距离，所述第一埋层条3A的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。本发明有效降低了LDMOS晶体管的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 ldmos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多通道LDMOS，包括位于衬底（1）中的源区（5）、漏区（6）、栅介质层（10）、场氧化层（11）、金属前介质（12）、漂移区（2）、衬底阱接触区（4）、衬底阱（7）、源极金属（8）和漏极金属（9），所述衬底阱（7）与所述漂移区（2）间无间隔，所述漂移区（2）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱（7）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，其特征在于，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条（3A），所述埋层条阵列位于所述场氧化层（11）下方、被所述漂移区（2）包围且距离所述场氧化层（11）一段距离，所述第一埋层条（3A）的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。
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