[发明专利]装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110006036.7 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102347320A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴文进;施应庆;邱文智;郑心圃;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/00;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种装置及其制造方法，该装置包括：一第一芯片，具有一第一侧及与其相对的一第二侧，第一侧具有一第一区及一第二区，且一第一金属凸块形成于第一芯片的第一区上，具有一第一平面尺寸。一第二芯片通过第一金属凸块而接合至第一芯片的第一侧。一介电层位于第一芯片的第一侧上方且包括直接位于第二芯片上的一第一部、环绕第二芯片的一第二部以及露出第一芯片的第二区的一开口。一第二金属凸块形成于第一芯片的第二区上且延伸进入介电层的开口内，具有大于第一平面尺寸的一第二平面尺寸。一电子部件通过第二金属凸块而接合至第一芯片的第一侧。本发明增加了芯片堆叠的弹性。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：一第一芯片，具有一第一侧及与其相对的一第二侧，该第一侧具有一第一区及一第二区；一第一金属凸块，形成于该第一芯片的该第一侧的该第一区上，具有一第一平面尺寸；一第二芯片，通过该第一金属凸块而接合至该第一芯片的该第一侧；一介电层，位于该第一芯片的该第一侧上方，且包括直接位于该第二芯片上的一第一部、环绕该第二芯片的一第二部以及露出该第一芯片的该第一侧的该第二区的一开口；一第二金属凸块，形成于该第一芯片的该第一侧的该第二区上且延伸进入该介电层的该开口内，具有一第二平面尺寸，该第二平面尺寸大于该第一平面尺寸；以及一第一电子部件，通过该第二金属凸块而接合至该第一芯片的该第一侧。
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