[发明专利]金属氧化物多晶体无效
| 申请号： | 201110006528.6 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102127736A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 增田彰;高崎薰;财田真人 | 申请（专利权）人： | 宇部材料工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/30;C30B28/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本国山*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物多晶体。提供金属氧化物多晶体，其吸湿性低、且可有利地用作用于通过电子束蒸镀法等物理气相生长法在稳定的条件下制造含有锶和钙的氧化物膜的蒸镀材料。该金属氧化物多晶体是由以摩尔比计为0.2∶0.8～0.8∶0.2的范围的比例含有锶和钙的结晶粒子形成的金属氧化物多晶体，其中，在将锶和钙的总摩尔量设为100摩尔时，以0.0005～20摩尔的范围的量含有选自由硅、铝、钛、锆和稀土类元素构成的组中的一种以上的金属元素，并且平均孔径在0.01～0.50μm的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 多晶体 | ||
【主权项】：
金属氧化物多晶体，其是由以摩尔比计为0.2∶0.8～0.8∶0.2的范围的比例含有锶和钙的结晶粒子形成的金属氧化物多晶体，其中，在将锶和钙的总摩尔量设为100摩尔时，以0.0005～20摩尔的范围的量含有选自由硅、铝、钛、锆和稀土类元素构成的组中的一种以上的金属元素，并且平均孔径在0.01～0.50μm的范围。
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