[发明专利]一种N型多晶硅电池片及其生产方法

摘要

本发明公开了一种电池片及其生产方法，特别公开了一种N型多晶硅电池片及其生产方法。该N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极，下端设有银电极，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层、P+射极层、N型硅片、N+射极层及SiNx抗发射层，其特征是：在SiNx抗反射层与P+射极层之间设有一层SiO2钝化层。本发明的有益效果是：N型硅片材料金属杂质比较少，因此N型硅片材料比P型硅片材料有比较长的少数载子寿命和扩散长度，N型多晶硅电池比P型多晶硅电池容易获得比较高的电池转换效率，使用本发明N型多晶硅电池片生产方法生产出来的电池片转换效率提高到17.3％-17.5％。

主权项

一种N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极(7)，下端设有银电极(2)，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层(5)、P+射极层(9)、N型硅片(6)、N+射极层(4)及SiNx抗发射层(5)，其特征是：在SiNx抗反射层(5)与P+射极层(9)之间设有一层SiO2钝化层(8)。