[发明专利]芯片封装体及其形成方法

摘要

本发明公开一种芯片封装体及其形成方法，该芯片封装体包括承载基底，具有上表面、下表面、第一侧面、及第二侧面；芯片，设置于上表面上，具有第一电极及第二电极；第一沟槽，自上表面朝下表面延伸，且自第一侧面朝承载基底的内部延伸；第一导电层，位于第一沟槽的侧壁上，不与第一侧面共平面且隔有第一最短距离，且与第一电极电连接；第二沟槽，自上表面朝下表面延伸，且自第二侧面朝承载基底的内部延伸；以及第二导电层，位于第二沟槽的侧壁上，不与第二侧面共平面且隔有第二最短距离，且与第二电极电连接。

主权项

一种芯片封装体，包括：承载基底，具有上表面及相反的下表面，及具有第一侧面及第二侧面；芯片，设置于该承载基底的该上表面或该下表面上，该芯片具有第一电极及第二电极；第一沟槽，自该承载基底的该上表面朝该下表面延伸，且自该第一侧面朝该承载基底的内部延伸；第一导电层，位于该第一沟槽的一侧壁上，该第一导电层不与该第一侧面共平面且隔有第一最短距离，且该第一导电层与该第一电极电连接；第二沟槽，自该承载基底的该上表面朝该下表面延伸，且自该第二侧面朝该承载基底的内部延伸；以及第二导电层，位于该第二沟槽的一侧壁上，该第二导电层不与该第二侧面共平面且隔有第二最短距离，且该第二导电层与该第二电极电连接。