[发明专利]一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备无效
| 申请号： | 201110020364.2 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102108492A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 夏原;李光;高方圆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院力学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;马知非 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备，所述镀膜设备包括：真空溅射体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系、PLC中央控制体系和计算机；低压直流电源体系为真空体系提供低压电流，高压脉冲电源体系为真空体系提供高压脉冲电流；PLC中央控制体系对真空体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系进行控制，所述PLC与计算机实现数据的传送与控制。本发明的有益效果是：1）预置直流电压，有效降低了脉冲电流迟滞时间；2）耦合入直流磁控溅射，有效保证了薄膜沉积速率；3）建立一种等离子体离化率可调的HIPIMS磁控溅射技术，为相关科学的研究提供了技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 功率 脉冲 磁控溅射 离化率 可控 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备，其特征为，所述镀膜设备包括：真空溅射体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系、PLC中央控制体系和计算机；低压直流电源体系为真空体系提供低压电流，高压脉冲电源体系为真空体系提供高压脉冲电流；PLC中央控制体系对真空体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系进行控制，所述PLC与计算机实现数据的传送与控制。
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