[发明专利]一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110022726.1 申请日: 2011-03-02
公开(公告)号: CN102142396A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 柳智忠;谢蓓 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦;李庆波
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法,该制作方法包含:提供一基板;通过第一道光蚀刻制程形成栅极、栅极线和共同电极于基板上,其中栅极、栅极线和共同电极位于基板上同一层;形成一栅极绝缘层覆盖于基板上,接着形成一半导体层覆盖在绝缘层上,并通过第二光蚀刻制程将半导体层图案化;通过第三道光蚀刻制程形成数据线、源极和漏极于栅极绝缘层和半导体层之上;通过第四道光蚀刻制程形成画素电极于栅极绝缘层和部分该漏极之上,最后通过第五道光蚀刻制程形成钝化层覆盖源极、漏极、半导体层和画素电极。
搜索关键词: 一种 边缘 电场 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制作边缘电场型液晶显示器阵列基板的方法,包括如下步骤:提供一基板;通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线、多数栅极和一共通电极于该基板之上,该第一光蚀刻制程包含:形成一第一导电层于该基板上,再形成一图案化光阻于该第一导电层之上;去除未被该图案化光阻遮盖的导电层部分形成多数栅极线和多数栅极于该基板之上;形成一第一透明导电层覆盖整个基板和该图案化光阻;剥离该图案化光阻以及同时去除覆盖该图案化光阻的第一透明导电层以形成共通电极;形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极线、该栅极以及该共通电极;通过第二光蚀刻制程形成一半导体层于该栅极绝缘层之上;通过第三光蚀刻制程图案化形成多数数据线、多数源极和多数漏极于该栅极绝缘层和该半导体层之上;通过第四光蚀刻制程图案化形成多数画素电极于该栅极绝缘层和部分该漏极之上,其中每一画素电极电性连接该对应的漏极;通过第五光蚀刻制程形成一钝化层于该源极、该半导体层、该漏极、该绝缘层和该画素电极之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深超光电(深圳)有限公司,未经深超光电(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110022726.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top