[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110023617.1 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102237368A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金锡九;李承百;李俊赫;吴瑟技 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件以及一种制造非易失性存储器件的方法。所述非易失性存储器件包括：多个串，所述多个串中的每个具有在多个字线之上垂直层叠的有源层；至少一个位线连接单元，所述位线连接单元在字线的一个端部之上垂直地形成并具有阶梯形；以及多个位线，所述位线中的每个与位线连接单元的多个有源区中的每个耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：多个串，所述多个串中的每个具有在多个字线之上垂直层叠的有源层；至少一个位线连接单元，所述位线连接单元垂直地形成在所述字线的一个端部之上并具有阶梯形；以及多个位线，所述多个位线中的每个与所述位线连接单元的多个有源区中的每个耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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